P型MOS管概述
P型MOS管是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
P型MOS管的种类
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，NMOS是在P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
P型MOS管原理
PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是
VGS<VTN (NMOS)，
VGS>VTP (PMOS)，
值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
P型MOS管型号大全
|
Part Number |
ID（A） |
BVDSS（v） |
Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） |
MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） |
ciss |
|
pF |
|||||
|
4703A |
-8 |
-30 |
0.019 |
0.024 |
1310 |
|
23P10A |
-23 |
-100 |
0.078 |
0.95 |
3029 |
|
35P10A |
-35 |
-100 |
0.042 |
0.055 |
4920 |
|
8610A |
-35 |
-100 |
0.042 |
0.055 |
6516 |
|
3415 |
-4 |
-16 |
0.04 |
0.045 |
1450 |
|
3423 |
-2 |
-20 |
0.076 |
0.092 |
512 |
|
2301 |
-2.8 |
-20 |
0.105 |
0.120 |
415 |
|
2305 |
-3.5 |
-20 |
0.045 |
0.055 |
1245 |
|
3409 |
-2.6 |
-30 |
0.097 |
0.130 |
302 |
|
3401 |
-4 |
-30 |
0.050 |
0.060 |
954 |
|
3407 |
-4.1 |
-30 |
0.05 |
0.06 |
700 |
|
9435 |
-5.3 |
-30 |
0.05 |
0.06 |
840 |
|
7P03A |
-7.5 |
-30 |
0.018 |
0.02 |
1345 |
|
4703A |
-8 |
-30 |
0.019 |
0.024 |
1310 |
pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。
Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极 > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。
并且Vs = Vd ，S极电压等于D极电压。
例如：S极 为 3.3V，G极 为0.1V，则 Vgs = Vg — Vs = -3.2 pmos管导通，D极电压为3.3V，一般pmos管当做开关使用的时，S极和D极之间几乎没有压降。
在实际使用中，一般G极接MCU控制管脚，S极接电源正极VCC，D极接器件的输入。实际使用中的一个样例如下：
RF_CTRL为低电平的时候，RF_RXD 和 RF_TXD上的电压为 VDD。
下面电路为P沟道MOS管用作电路切换开关使用电路：
电路分析如下：
pmos的开启条件是VGS电压为负压，并且电压的绝对值大于最低开启电压，一般小功率的PMOS管的最小开启电压为0.7V左右，假设电池充满电，电压为4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是导通的，电路是没有问题的。当5V电压时，G极的电压为5V，S极的电压为5VV-二极管压降（0.5左右）=4.5V，PMOS管关段，当没有5V电压时，G极电压下拉为0V，S极的电压为电池电压（假设电池充满电4.2V）-MOS管未导通二极管压降（0.5V）=3.7，这样PMOS就导通，二极管压降就没有了这样VGS=-4.2V.PMOS管导通对负载供电。
在这里用一个肖特基二极管（SS12）也可以解决这个问题，不过就是有0.3V左右的电压降。这里使用PMOS管，PMOS管完全导通，内阻比较小，优与肖特基，几乎没有压降。不过下拉电阻使用的有点大，驱动PMOS不需要电流的，只要电压达到就可以了，可以使用大电阻，减少工作电流，推荐使用10K-100K左右的电阻。
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