在电子电路中，将快恢复二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，快恢复二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在快恢复二极管两端的正向电压很小时，快恢复二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。PN结导致快恢复二极管正向压降偏大
快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片.由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压.快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏.超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。如果测的快恢复二极管正向压降反常偏大，可能是买到PN结构的二极管了。电路温度与快恢复二极管正向压降的关系
正向压降偏高是导致快恢复二极管应用电路发热的常见原因。
PIN结相对于PN结有更快的恢复时间，N型外延内的载流子会比传统PN结器件消失得更快，即可形成低正向导通压降和快关断时间的半导体器件。固定掺杂浓度的FRD器件,由于晶格散射对载流子迁移率起主导作用,正向压降呈正温度系数特性。压降偏高是导致快恢复二极管应用电路常见发热原因之一。快恢复二极管不同于整流桥产品，随着耐压的渐高，快恢复本身的压降会有明显升高。一般200V耐压快恢复二极管正向压降是1.05V,而400V耐压的快恢复正向压降就能提升到1.5V左右，压降放大之后功耗就会加大，自然的就会引起温度的升高。所以在选择快恢复二极管参数时，一定要精准计算电路参数情况，以便于能更加合理的选择快恢复耐压的参数。
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