MOS控制晶闸管由VAK Temple开发。它是一个电压控制器，晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GTO晶闸管非常相似，但是它具有电压控制绝缘的栅极。它具有两个用于导通和关断的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且在等效电路中具有相反的导电率。如果等效电路有一个晶闸管并用于接通，则称为MOS门控晶闸管。
什么是MOS控制晶闸管？
MOS控制晶闸管是一种功率半导体器件。它具有通过MOS门控的电流和晶闸管电压的能力，用于接通和关断目的。它用于大功率应用，例如大功率，大频率，低传导性，并用于后续工艺。以下符号是如下所示的P-MCT和N-MCT。
P-MCT和N-MCT的电路符号
MOS控制晶闸管的工作原理
下图显示了MOS控制晶闸管的工作原理。它是通过MOS门控将电流和电压功能结合在一起的。MOS门控用于MCT的开关ON / OFF。
MOSFET接通时MCT
通过使用负电压脉冲，器件相对于阳极处于导通状态。借助于阳极和栅极端子之间的电压脉冲，使栅极端子相对于阳极为负。因此，MOS控制晶闸管处于导通状态。在启动阶段，MOS控制晶闸管为正向偏置。如果将负电压施加到负电压脉冲，则导通模式FET导通，并且截止FET模式已经存在为截止状态。
MOSFET接通MCT
当FET处于导通状态时，电流从阳极流经导通FET，然后流经基极电流和发射极端子的npn晶体管，最后电流流经阴极。因此，该过程使npn晶体管导通。如果OFF FET为OFF模式，则NPN晶体管用作PNP晶体管的基极电流。类似地，如果两个晶体管均处于导通状态并且发生相关动作，则PNP晶体管导通，因此MCT导通。
MOSFET关断时MCT
借助正电压脉冲关闭设备。相对于阳极施加到栅极端子。然后，OFF FET切换到ON模式，而ON FET切换到OFF状态。如果OFF FET导通，则pnp晶体管会因发射极端子和基极端子短路。因此，阳极电流流过OFF FET。因此，NPN晶体管的基极电流减小。反向电压阻断能力是该设备的缺点。
等效电路图
下图显示了MOS控制晶闸管的等效电路图。该电路由两个N沟道MOSFET晶体管组成，另一个是P沟道。P通道用于打开FET，n通道用于关闭OFF FET。该电路由两个晶体管组成，分别是npn和pnp晶体管。如果将这两个晶体管连接在一起以形成MOS控制晶闸管的npnp结构。p沟道MOSFET由从栅极端子连接的箭头标识。
MOS控制晶闸管的等效电路图
MOS控制晶闸管的应用
MOS控制晶闸管的应用包括以下内容：
• MOS控制晶闸管用于断路器。
• 它用于高功率应用，例如高功率转换。
• MOS控制晶闸管用于感应加热。
UPS系统
• 它也用于DC-DC转换器之类的转换器中。
• 可变功率因数，操作在MCT中用作强制功率开关。
MCT的优势
• MOS控制晶闸管的正向导通压降低。
• 它具有低开关损耗。
• 它具有较高的栅极输入阻抗。
• 它可以非常快速地打开/关闭。
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