公海赌赌船官网jc710

您好!欢迎光临公海赌赌船官网jc710科技品牌官网!

深圳市公海赌赌船官网jc710科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • MOS管的驱动过程与栅极驱动功率
    • 发布时间:2020-01-03 16:09:45
    • 来源:
    • 阅读次数:
    MOS管的驱动过程与栅极驱动功率
    在晶体管家族里,MOS管是栅极电压驱动器件,工作中并无直流电流流入栅极,这与基极电流驱动的常规双极晶体管在原理上是完全不同的。在实际电路应用中,一般根据栅极驱动所需的功耗较低的优势,把MOS管用作频率范围从几kHz到几百kHz的开关器件。
    驱动原理
    对于双极晶体管,要在集电极中产生电流,必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。要使MOS管导通,必须对栅极施加高于额定栅极阈值电压Vth的电压。
    MOS管的栅极是一层二氧化硅,由于与源极隔离,向栅极端子施加直流电压理论上不会在栅极中产生电流(在栅极充电和放电的瞬态产生的电流除外)。实践中,栅极中会产生几纳安的微弱电流。
    MOS管
    双极晶体管(左)及MOS管的驱动比较
    在栅极端子和源极端子之间施加电压时,MOS管在漏极中产生电流。当处于稳态开启或关断状态时,MOS管栅极驱动基本无功耗。
    当栅极端子和源极端子之间无电压时,由于漏源极阻抗极高,因此漏极中除泄漏电流之外无电流。通过驱动器输出看到的MOS管,栅源电容根据其内部状态而有所不同。
    驱动过程
    工作中,可将MOS管的栅极视为电容。除非对栅极输入电容充电,否则MOS管的栅极电压不会增大,而且在栅极电压达到栅极阈值电压Vth之前,MOS管不会开通。
    MOS管的栅极阈值电压Vth是在其源极和漏极区域之间产生传导通道所需的最小栅偏压。
    考虑驱动电路和驱动电流时,MOS管的栅极电荷Qg比其电容更加重要。
    MOS管开启期间,电流流到其栅极,对栅源电容和栅漏电容充电。对栅极端子施加恒定电流时,可将时间乘以恒定栅电流IG,以栅极电荷Qg表示时间轴。
    对MOS管施加电压时,其栅极开始积累电荷。将MOS管连接到电感负载时,它会影响与MOS管并联的二极管中的反向恢复电流以及MOS管栅极电压。
    在t0-t1时间段内,栅极驱动电路通过栅极串联电阻器R对栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd充电,直到栅极电压达到其阈值Vth。
    在t1-t2期间,VGS超过Vth,导致漏极中产生电流,最终成为主电流。在此期间,继续对Cgs和Cg充电。栅极电压上升时,漏极电流增大。在t2,栅极电压达到米勒电压。在t0-t1期间,延迟时间t2和R(Cgs+Cgd)成正比。由于在此期间有漏极电流流过,MOS管会出现功率损耗。
    MOS管
    MOS管栅极充电电路和波形
    在t2-t3期间,VGS(pl)电压处的VGS受米勒效应影响保持恒定。栅极电压保持恒定。由于在此期间栅极电压保持恒定,因此驱动电流流向Cgd而非Cgs。由于在此期间漏极电压持续降低,而漏极电流保持恒定,因此MOS管会发生功率损耗。
    在t3-t4期间,向栅极充电使其达到过饱和状态。对Cgs和Cgd充电,直到栅极电压(VGS)达到栅极供电电压。由于开通瞬态已经消失,在此期间MOS管不会出现开关损耗。
    MOS管栅极驱动功率
    实际上,MOS管栅极驱动电路也有功耗,只是相较双极晶体管这些功耗很小,而且这些功耗随着频率成比例地增大。从驱动电源供应的能量减去在栅极中积累的能量,可以得出栅极电阻器消耗的能量。
    MOS管
    MOS管栅极驱动功耗
    在MOS管关断期间,在栅极中积累的能量就是栅极电阻器消耗的能量。对于每个开关事件,所消耗的能量等于驱动电路供应的能量。
    由于开关电源应用非常普及,用于开关应用(负载开关)的MOS管的需求越来越多。由于能够降低电子器件及电子线路的总体功耗,MOS管也应用在很多其他应用中,并通过逻辑电路或微控制器直接驱动MOS管,例如马达控制、继电器和LED照明等。
    公海赌赌船官网jc710专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆20年,工厂直销省20%,1500家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
    相关阅读
    公海赌赌船官网jc710