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    • 发布时间:2020-01-04 14:27:08
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    mos管参数详细介绍-每一个mos管参数
    mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数,每个详细参数如下:
    Rds(on)----------DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻
    Id------------------最大DS电流.会随温度的升高而降低
    Vgs----------------最大GS电压.一般为:-40V~+40V
    Idm---------------最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系
    Pd-----------------最大耗散功率
    Tj------------------最大工作结温,通常为150度和175度
    Tstg---------------最大存储温度
    Iar-----------------雪崩电流
    Ear---------------重复雪崩击穿能量
    Eas---------------单次脉冲雪崩击穿能量
    BVdss------------DS击穿电压
    Idss---------------饱和DS电流,uA级的电流
    Igss---------------GS驱动电流,nA级的电流.
    gfs----------------跨导
    Qg----------------G总充电电量
    Qgs--------------GS充电电量
    Qgd-------------GD充电电量
    Td(on)---------导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
    Tr----------------上升时间,输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
    Td(off)----------关断延迟时间,输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间
    Tf-----------------下降时间,输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间
    Ciss---------------输入电容,Ciss=Cgd+Cgs.
    Coss--------------输出电容,Coss=Cds+Cgd.
    Crss---------------反向传输电容,Crss=Cgc.
    mos管参数
    了解完mos管每个参数就知道如何选择适合mos管型号,型号选择请参考《mos管封装参数表》更可以直接下载对应型号的PDF规格书技术文档。
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