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解释1：n型

表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可。因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。

解释2：左右对称

但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，恰是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。我的年青时用过不带二极管的mos管驱动。图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？实在原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。非常轻易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。

解释3：沟道

下面图中，下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必需清晰这个参数是否符合需求。

相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。因为电场的强度与间隔平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不显著了，也是由于n型负离子的“退让”是越来越难的。

解释4：如何工作在放大区

这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。

mos管也能工作在放大区，而且很常见。

做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用mos管工作在放大区，因为mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅极电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。因为栅极与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无限大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这是三极管不可相比的。

解释5：发烧原因

主要考虑的发烧，温度下降就恢复。要留意这种保护状态的后果。第三个原因是导通后，沟道有电阻，过主电流，形成发烧。

很多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。超过此温度，mos管不可能导通。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时，导通状态要“途经”一个由封闭到导通的临界点，这时，导通电阻很大，发烧比较厉害。有电流就有发烧，并非电场型的就没有电流。

mos管发烧，主要原因之一是寄生电容在频繁开启封闭时，显现交流特性而具有阻抗，形成电流。

解释6：区别

相称于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。下图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源极和漏极。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。好处是显著的，应用时抛开了负电压。

解释7：金属氧化物膜

在直流电气上，栅极和源漏极是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。 坏处是：越轻易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。例如导通电阻在欧姆级的，而2402等在十毫欧级的，图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。

解释8：寄生电容

下图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一，必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种用途中，栅极信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视，甚至成为主要问题。为了追求高速，需要强大的栅极驱动，也是这个道理。试想，弱驱动信号瞬间变为高电平，但是为了“灌满”寄生电容需要时间，就会产生上升沿变缓，对开关频率形成重大威胁直至不能工作。

解释9：增强型

耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不出产，在市道市情基本见不到。栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越阔别栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，轻易理解，栅极电压必需低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。因为电场的强度与间隔平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不显著了，也是由于n型负离子的“退让”是越来越难的。

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