MOS管开关电路
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
P沟道MOS管开关电路
路编辑PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
N沟道mos管开关电路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
mosfet管开关电流波形问题分析
图1
这里就用MOSFET代替BJT了，所以ids = ic，Vds=Vce，Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压，随着Ids电流越来越大，Vds电压终于保持不住，开始下降。直到管子完全开启。比较详细的开启过程是由Miller Plateau造成的，这里借用了网上一些解释Miller Plateau的图，如果有不清楚的就请见谅了。
阶段1，Vgs 《 Vth，管子是关断的，所以Ids = 0，Vds=high，ig充电Cgs。
阶段2，Vgs 》 Vth，管子开启，Ids从0增加到iL被外部电流源电感钳住，Coss（Cds）上电压不能突变，保持Vds。
阶段3，进入Miller plateau，Vgs 》 Vth，管子仍然保持开启，Coss开始discharge，Vds电压开始下降，于此同时Cgd开始被ig充电。Vg保持不变。
阶段4，Vd下降到接近0点，ig继续给ig充电Cgs和Cgd充电。
阶段5，Vg到达gate driver预定的电压，管子开启过程完成。
关断过程和开启过程类似，也会有Miller plateau效应。
我们可以看到，如果如果MOS管开启时VDS上有原始电压，那么MOS开启过程中就会有Ids和Vds的重叠，那么会带来Switching Loss。由于Coss上的能量在极短时间内被释放，电容上能量会损失掉（换算为Loss为0.5*Coss*Vds^2*fs），而且只要是非零电压开启（Non Zero Voltage Switching），会给PCB和MOS的寄生电感与电容形成的谐振腔（resonant tank）引入比较大的dv/dt或者di/dt激励，引起比较大的ringing，甚至超过管子的额定电压，烧毁管子。
那么我们可以避免这种情况的发生吗？答案是可以的，也就是很多人提到的Zero Voltage Switching，虽然会付出一定的代价。我们先看如何能实现软开关开启Zero Voltage Switching Turn on。
图2
实现ZVS turn on很简单，只需要在我们开启管子前，Vds上的电压为零就好，这样Ids和Vds就没有重叠了，turn on switching loss为零，没有high di/dt， dv/dt问题，没有ringing，完美！那么如何实现ZVS turn on呢？个人觉得分两种情况讨论：1为PWM converter，2为resonant converter（谐振变换器）。
一， 对于PWM converter，就拿最简单的两个管子的half bridge（其实也就是buck converter）做例子。
图3
对于half bridge 实现ZVS turn on，我们希望当上管Q1开启时电流是流进switching node （vsw）的，也就是图中电感电流为负值，当下管Q2开启时我们希望电流是流出switching node （vsw）的，也就是电感电流为正值。为什么这样就可以实现ZVS turn on了呢？我们就看上管Q1开启过程。如果电感电流iL为负，这时候我们先关闭Q2，这时候Q1还未开启，在这个deadTIme中iL会charge Q2的Coss，使Vsw抬高到Vin，当然不能超过Vin，因为Q1的body diode会导通，钳位住Vsw到Vin，这时候Q1的Vds就是Vin-Vsw=0，这时候我们开启Q1就实现ZVS了。
同理对于Q2开启时，如果电感电流为正，那么当我们首先关闭Q1管时，Vsw就会被电感电流拉低到0，因为iL》0， Q2的Coss会discharged到0，然后我们再开启Q2，就可以达到ZVS了。这里我有一张其他Topology的PWM converter的波形图，也和buck工作原理类似，大概可以看看基本原理，也就是电感电流为负时，Q1可以实现ZVS，让Vsw的ringing比较小。而当电感电流为正时，实现不了ZVS，Vsw的ringing就比较大了。
图4
二， 对于resonant converter，其实道理类似，我们也希望在我们开启管子前，Vds上的电压为零。那么对于resonant converter的half bridge，我们希望看到的impedance为inducTIve，也就是感性的，这样switching node流出的电流I就会滞后于电压V，现在ZVS turn on。
图5
这是因为如果电流I是滞后与电压V的，这样在Q1开启之前电流I为负值就会charge Q2的Coss，同时discharge Q1的Coss，让V到Vin，这样Q1就实现ZVS turn on了。Q2开启之前，电流I为正，也会discharge Q2的Coss，和charge Q1的Coss，让V到0，这样Q2就实现ZVS了。
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