导语
首先，建议大家看之前先看下面这一篇，以了解二极管的开关过程，这有助于后面的理解。
二极管的开关过程及其可能引发的EMI问题
正题：很多时候，我们会认为二极管的导通损耗（即其正向压降乘以正向电流）就是它的总损耗。但是二极管的开关过程中，由于电流电压波形有交叉，它们的乘积不为零，所以存在着开关损耗。同时由于二极管有反向漏电流的存在，所以还有一个截止损耗。
综上，二极管的损耗类型包含了导通损耗、截止损耗、开通损耗、关断损耗。这与MOSFET的损耗类似（但MOSFET比二极管复杂），今天就介绍这些损耗如何计算。
必要的名称解释
VF/VR：正向压降/反向电压
IF/IR：正向电流/反向漏电流
tfr：正向恢复时间
Vfp/Ifp：正向峰值电压/正向峰值电流
Vrp/Irp：反向峰值电压/反向峰值电流
Qrr：反向恢复电荷
损耗分析
由于二极管常用于整流，所以我们这里假设二极管通过的是一个方波信号，周期为T、频率为f、导通时间为ton、占空比为D。
再回顾下二极管的开关过程如下图-1所示：
图-1：二极管的开关过程示意图
如上图-1所示，可以容易地列出二极管的四大平均功率损耗：
导通损耗：
截止损耗：
开通损耗：
关断损耗：
注意：从图-1可以看到二极管在反向恢复时间trr内的td时段，压降很小，所以在这段时间产生的损耗可以忽略不计，关断损耗的积分区间直接从t1到t2。
最后说一下，我们常认为二极管的导通损耗近似于它的总损耗是有道理的，因为导通损耗一般来说占的比重比较大，所以我们有时会喜欢使用那些正向压降低的二极管，比如肖特基二极管。
“在高温环境下，二极管的反向恢复时间会变长，反向漏电流也会变大。对此敏感的电路需要注意。
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