MOSFET特性参数
MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件，和普通双极型晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性，得到了越来越普遍的应用。你了解MOSFET特性参数吗？下面让我们一起来详细了解吧。
1.绝对最大额定值
任何情况下都不允许超过的最大值
2.额定电压
VDSS:漏极(D)与源极(S)之间所能施加的最大电压值。
VGss :栅极(G)与源极(S)之间所能施加的最大电压值。
3.额定电流
ID(DC):漏极允许通过的最大直流电流值
此值受到导通阻抗、封装和内部连线等的制约，TC=25°C (假定 封装紧贴无限大散热板)
ID(Pulse) :漏极允许通过的最大脉冲电流值
此值还受到脉冲宽度和占空比等的制约
4.额定功耗
PT :芯片所能承受的最大功耗。其测定条件有以下两种
TC=25℃的条件...紧接无限大放热板，封装
C: Case的简写,背面温度为25℃(图1)
TA=25℃的条件...直立安装不接散热板
A: Ambient的简写，环境温度为25 C (图2)
5.额定温度
Tch : MOSFET的沟道的上限温度，一般Tch≤150C℃
Tstg : MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的产品，其保存温度范围为最低-55℃,最高150℃
6.热阻
表示热传导的难易程度。热阻值越小，散热性能越好。如果使用手册上没有注明热阻值时，可根据额定功耗PT及Tch将其算出。
沟道/封装之间的热阻(有散热板的条件)
7.安全动作区SOA
SOA=Safe Operating Area或AOS=Area of Safe Operating
正偏压时的安全动作区
8.抗雪崩能力保证
对马达、线圈等电感性负载进行开关动作时，关断的瞬间会有感生电动势产生。
电路比较
(1)以往产品(无抗雪崩保证)的电路必须有吸收电路，以保证瞬间峰值电压不会超过VDss。
(2)有抗雪崩能力保证的产品，MOSFET自身可以吸收瞬间峰值电压而无需附加吸收电路。
抗雪崩能力保证定义
单发雪崩电流IAS:下图中的峰值漏极电流
单发雪崩能量EAS:一次性雪崩期间所能承受的能量，以Tch≤150℃为极限
连续雪崩能量EAR:所能承受的反复出现的雪崩能量，以Tch≤150℃为极限
MOSFET特性参数：怎样选择MOSFET的额定值
器件的额定-电压值：应高于实际最大电压值20%；电流值：应高于实际最大电流值20%；功耗值：应高于实际最大功耗的50%，而实际沟道温度不应超过-125℃
上述为推荐值。实际设计时应考虑最坏的条件。如沟道温度Tch从50℃提高到100℃时，推算故障率降提高20倍。
在MOS管选择方面，系统请求相关的几个重要参数是：
1． 负载电流IL。它直接决议于MOSFET的输出才能；
2． 输入—输出电压。它受MOSFET负载占空比才能限制；
3． mos开关频率FS。这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率；
4． MOSFET最大允许工作温度。这要满足系统指定的牢靠性目的。
MOSFET设计选择：
一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被肯定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：
1 RDSON的值。最低的导通电阻，能够减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。
2 散热。假如空间足够大，能够起到外部散热效果，就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果。
3 MOSFET组合。假如板上空间允许，有时分，能够用两个较高RDSON的器件并联，以取得相同的工作温度，并且本钱较低。
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