下面的这个电路。
2 个 PMOS 并联
电路描述：Q3 是三极管，Q1 和 Q2 是 PMOS 管，左右两边的+12V 是输入，VIN 是输出，用来给模块供电，phones_POWER 是控制信号。
电路逻辑：phones_POWER 输出高电平时，Q3 导通，Q1 和 Q2 导通，VIN=+12V；phones_POWER 输出低电平时，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
所以看起来这个电路很简单，问：为什么用两个 PMOS，Q1 和 Q2，用一个 PMOS 是不是也可以？
懂得人一看就知道了，Q1 和 Q2 导通时，左右两边 12V 并联增加电流，为的是提高 VIN 的带载能力，或者换个说法是：VIN 负载电流比较大，用两个 PMOS 管分流。
举个例子：如果 VIN 负载最大电流为 1A，用一个 PMOS 管，电流都会加在这个 MOS 管的 DS 上，选型时 PMOS 的 IDS 电流至少得 1A 以上；如果用两个 PMOS，每个 PMOS 管的 IDS 电流是不是在 0.5A 以上即可。
所以这么设计的目的是为了节省成本，可能 1 个 IDS=1A 电流的管子比 2 个 IDS=0.5A 的管子贵。
问题来了，流过 Q1 和 Q2 的电流都是 0.5A 吗？
如果流过 Q1 的电流是 0.6A，流过 Q2 的电流是 0.4A，那 Q1 过流发热不就烧坏了？可能有人说了 Q1 烧坏了，还有 Q2，难道 Q2 不会再烧坏吗？答案是 Q2 肯定会坏。
那有人说了，Q1 和 Q2 用同样型号的 PMOS 管不就行了，这样两个管子的 Rdson（导通内阻）一样，流过的电流肯定也一样。
但是实际上，因为制造工艺的影响，同一型号同一批次的两个管子，Rdson 和其他参数不可能做到完全一样。
看到这里你可能觉得很有道理，就算用一样的型号，流过两个 MOS 管的电流也不一样！那是不是这个电路就无法使用了？
上述电路可以使用，使用时需要注意的点：
第 1：Q1 和 Q2 最好用同一型号，且 IDS 需要留有一定的余量，负载电流如果最大 1A，两个 PMOS 的 IDS 可以选择 0.6~0.7A 左右，这样就有 200mA~400mA 的余量。
第 2：这一点非常重要，这也是我没有想到的，被一位大佬一语点醒，这个电路可以实现「均流」，什么叫均流，也就是流过 Q1 和 Q2 的电流肯定是一样的。
流过 Q1 和 Q2 的电流大小取决于 Rdson 参数。
第 1 点已经说了，Q1 和 Q2 使用同一型号的管子，可能因为制造工艺影响，假设 Q1 的 Rdson 比 Q2 的 Rdson 小，那么流过 Q1 的电流会比流过 Q2 的电流大。
但是有一点我们需要注意，MOS 管的导通内阻和温度是呈正系数关系，也就是说随着温度的升高，内阻会变大，因为流过 Q1 的电流比 Q2 大，所以 Q1 的温升肯定比 Q2 高，这时候 Q1 的内阻会变大，内阻变大带来的效果是流过 Q1 的电流又会变小，这不是个完整的负反馈吗，完美的实现了均流。
2 个 PMOS 串联
如果说上面的是两个 MOS 管并联，下面这个图是两个 MOS 管串联，VIN 是输入，VOUT 是输出。
电路逻辑：phones_POWER 输出高电平时，Q3 导通，Q1 和 Q2 导通，VIN=VOUT；phones_POWER 输出低电平时，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
电路作用：针对上面后一点，在 2 个 MOS 管关闭的情况下，如果调试需要外接 VOUT，可以防止 VOUT 的电串到 VIN 上面，利用的是 Q1 体二极管反向截止特性（左正右负）。
如果没有 Q1，那么 VOUT 直接从 Q2 的体二极管（左负右正）串电到 VIN 上面。
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