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判断三极管饱和时应该求出基级最大饱和电流 IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

三极管饱和问题总结：

1. 在实际工作中，常用 Ib*β=V/R 作为判断临界饱和的条件。根据 Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

2. 集电极电阻 越大越容易饱和；

3. 饱和区的现象就是：二个 PN 结均正偏，IC 不受 IB 之控制

问题：基极电流达到多少时三极管饱和？

解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是 1K，VCC 是 5V，饱和时电阻通过电流最大也就是 5mA，用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于 50μA 就可以饱和。

对于 9013、9012 而言，饱和时 Vce 小于 0.6V，Vbe 小于 1.2V。下面是 9013 的特性表：

问题：如何判断饱和？

判断饱和时应该求出基级最大饱和电流 IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。

饱和的条件：1. 集电极和电源之间有电阻存在  且越大就越容易管子饱和；2. 基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现 b 较 c 电压高的情况。             

影响饱和的因素：1. 集电极电阻 越大越容易饱和；2. 管子的放大倍数  放大倍数越大越容易饱和；3. 基集电流的大小；

饱和后的现象：1. 基极的电压大于集电极的电压；2. 集电极的电压为 0.3 左右，基极为 0.7 左右（假设 e 极接地）

谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集 - 射极电路的负载电阻（包括集电极与射极电路中的总电阻）为 R，则集 - 射极电压 Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着 Ib 的增大，Vce 减小，当 Vce<0.6V 时，B-C 结即进入正偏，Ice 已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然 Ib 如果继续增大，会使 Vce 再减小一些，例如降至 0.3V 甚至更低，就是深度饱和了。以上是对 NPN 型硅管而言。

另外一个应该注意的问题就是：在 Ic 增大的时候，hFE 会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和 Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定 e、c 极短路的情况下的 Ic 极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。

注意：饱和时 Vb>Vc，但 Vb>Vc 不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子 Vb>Vc 时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将 Ic/Ib<10 定义为饱和，Ic/Ib<1 应该属于深饱和了。

从晶体管特性曲线看饱和问题：我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。

以某晶体管的输出特性曲线为例。由于原来的 Vce 仅画到 2.0V 为止，为了说明方便，我向右延伸到了 4.0V。

如果电源电压为 V，负载电阻为 R，那么 Vce 与 Ic 受以下关系式的约束：Ic = (V-Vce)/R

在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X 轴上的截距是电源电压 V，Y 轴上的截距是 V/R（也就是前面 NE5532 第 2 帖说的“Ic(max)是指在假定 e、c 极短路的情况下的 Ic 极限”）。这条斜线称为“静态负载线”（以下简称负载线）。各个基极电流 Ib 值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下的工作点。见下图：

图中假定电源电压为 4V，绿色的斜线是负载电阻为 80 欧姆的负载线，V/R=50MA，图中标出了 Ib 分别等于 0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA 的工作点 A、B、C、D、E、F。据此在右侧作出了 Ic 与 Ib 的关系曲线。根据这个曲线，就比较清楚地看出“饱和”的含义了。曲线的绿色段是线性放大区，Ic 随 Ib 的增大几乎成线性地快速上升，可以看出β值约为 200。兰色段开始变弯曲，斜率逐渐变小。红色段就几乎变成水平了，这就是“饱和”。实际上，饱和是一个渐变的过程，兰色段也可以认为是初始进入饱和的区段。在实际工作中，常用 Ib*β=V/R 作为判断临界饱和的条件。在图中就是假想绿色段继续向上延伸，与 Ic=50MA 的水平线相交，交点对应的 Ib 值就是临界饱和的 Ib 值。图中可见该值约为 0.25mA。

由图可见，根据 Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。

图中还画出了负载电阻为 200 欧姆时的负载线。可以看出，对应于 Ib=0.1mA，负载电阻为 80 欧姆时，晶体管是处于线性放大区，而负载电阻 200 欧姆时，已经接近进入饱和区了。负载电阻由大到小变化，负载线以 Vce=4.0 为圆心呈扇状向上展开。负载电阻越小，进入饱和状态所需要的 Ib 值就越大，饱和状态下的 C-E 压降也越大。在负载电阻特别小的电路，例如高频谐振放大器，集电极负载是电感线圈，直流电阻接近 0，负载线几乎成 90 度向上伸展（如图中的红色负载线）。这样的电路中，晶体管直到烧毁了也进入不了饱和状态。以上所说的“负载线”，都是指直流静态负载线；“饱和”都是指直流静态饱和。

用三极管需要考虑的问题：

1）耐压够不够

2）负载电流够不够大

3）速度够不够快（有时却是要慢速）

4）B 极控制电流够不够

5）有时可能考虑功率问题

6）有时要考虑漏电流问题（能否“完全”截止）。

7）一般都不怎么考虑增益（我的应用还没有对此参数要求很高）

实际使用时，晶体管注意四个要素就行：-0.1~-0.3V 振荡电路， 0.65-0.7V 放大电路，0.8V 以上为开关电路，β值中放、高放为 30-40，低放 60-80，开关 100-120 以上就行，不必研究其它的，研究它的共价键、电子、空穴没用

Vce=VCC（电源电压）-Vc（集电极电压）=VCC-Ic（集电极电流）Rc（集电极电阻）。

可以看出，这是一条斜率为 -Rc 的直线，称为“负载线”。当 Ic=0 时，Vce=Vcc。当 Vce=0 时（实际上正常工作时 Vce 不可能等于 0，这是它的特性决定的），Ic=Vcc/Rc。也就是说，Ic 不可能大于这个数值。对应的基极电流 Ib=Ic/β=Vcc/βRc，这就是饱和基极电流的计算公式。

饱和分临界饱和和过度饱和两种状态。当 Ib=Vcc/βRc 时，三极管基本处于临界饱和状态。

当基极电流大于此值的两倍，三极管就基本进入深度饱和状态。三极管深度饱和和临界饱和的 Vce 差很大。临界饱和压降大，但退出饱和容易；深度饱和压降小但不容易退出饱和。所以，不同用途选择的基极电流是不一样的。

还有，饱和压降和集电极电流有直接关系。集电极电阻越小，饱和集电极电流就越大，饱和压降越大。反之也相反（集电极电阻越大，饱和集电极电流就越小，饱和压降越小）。如果集电极电流 5 毫安时三极管饱和，9013、9012 之类的饱和压降一般不超过 0.6 伏。基极电流超过两倍 Vcc/βRc 时，一般饱和压降就小到 0.3V 左右了。