绝缘栅型的场效应管多了一个衬底B，上图中的箭头向里，说明是P到N的，也就是N沟道。中间是虚线，漏极和源级没有连接在一起说明中间是有绝缘层的，为增强型。 当增强型想要形成N沟道时，需要Ugs加正向电压，是的两个N+之间产生电子区域（这个为什么是电子区域我现在也不清楚。。）最终形成N沟道的反型层。当然这中间需要Ugs的电压达到一定的值。
第一幅图，是当Ugs开启N沟道后，Uds增加，Id也增加。这个N沟道就想一个可变电阻一样如同之前的博客里的结型场效应管一样。
第二幅图Ugd随着Uds的增加一定会变成一个负电压，当这个负电压的值和Ugs的开通电压一样时，就会出现夹断，也就是增强型要正电压才能夹断（这是我个人理解，可能不太对）。
第三幅图随着Uds增大，Id并不能克服耗尽层，所以Id的电流几乎不变。进入恒流区。PPt上写着的Ugs的增加克服夹断区的电阻也是对的，因为Ugs的增加本身也是为了形成N沟道
耗尽型的竖线有相同的说明漏极和源级是相同的，跟右图的匹配。耗尽型的MOS管本身就有正离子，所以N沟道一直存在。所以当Ugs为0时也是存在的。如果想要夹断，那就要消除本身存在的正离子，那就需要Ugs加反向电压还必须很小，不然Ugs在＞0，＜0，＝0是都可以导通。但因为SiO2的绝缘性质存在尽管Ugs加正向电压，N沟道的等效电阻也会很大（这句话我也就勉强理解的，具体这个正离子和绝缘性到底跟添加正反向电压的关系不懂）。同理想要进入恒流区，那Uds需要（这个等日后来补），感觉耗尽型的要好好分析下，还是要懂半导体的物理特性才行。
增强型和耗尽型的Ugs和ip根据上述分析容易与图中对照起来。而且增强型的Uds在Ugs不变的情况下不断增加那就会进入恒流区。
第一个问题答案是：绝缘栅型的耗尽型
第二个问题答案是：绝缘栅型的增强型
第三个问题答案是：结型和绝缘栅型的耗尽型
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