10N65场效应管,10A 650V,10N65参数资料,10N65引脚图,10N65中文资料规格书PDF
10N65/TO-220F参数封装:点击查看
10N65封装有TO-220/TO-220F/TO-252
10N65场效应管参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：10A
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=100℃：6.7A
Power Dissipation 功率损耗Pd：65W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3.5A,VGS=10V：Typ 0.8Ω Max 0.9Ω
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
10N65场效应管/TO-220封装尺寸：
10N65场效应管/TO-220F封装尺寸：
10N65场效应管/TO-252封装尺寸：
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