US1GF快恢复二极管参数,US1GF二极管规格书,US1GF参数资料
US1GF快恢复二极管,US1GF二极管资料,US1GF封装为SMAF与US1GF二极管的作用
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![US1GF](/uploadfile/2021/1223/20211223125304389.jpg)
US1GF快恢复二极管参数规格书: 点击查看![US1GF](/uploadfile/2021/0809/20210809054154563.jpg)
US1GF二极管,SMAF封装参数如下:![US1GF](/uploadfile/2021/0809/20210809054154563.jpg)
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 最大重复峰值反向电压:400V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压:400V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流:1A
Maximum instantaneous forward voltage at 1A VF 1A时的最大瞬时正向电压:1.4V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=25℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:5.0uA
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage TA=125℃ IR 额定直流阻断电压下的最大直流反向电流:100uA
Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG 工作温度和存储温度范围:-55to +150℃
Maximum reverse recovery time 恢复时间:50ns
US1GF超快恢复二极管,SMAF封装尺寸:
![US1GF](/uploadfile/2021/1222/20211222060121123.png)
US1GF超快恢复二极管,SMAF封装尺寸:
![US1GF](/uploadfile/2021/1222/20211222060121123.png)
US1GF超快恢复二极管,SOD-123封装尺寸:
![US1GF](/uploadfile/2021/1210/20211210080518430.png)
US1GF超快恢复二极管,SMA封装尺寸:
![US1GF](/uploadfile/2021/1222/20211222060211279.png)
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