导电沟道机理：
如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型。
如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。
为什么N沟道增强型MOS管的存在饱和区？
首先明白N沟道增强型MOS管的结构：N管一定是P型衬底，（P管一定是N型衬底，P型衬底的的载流子是电子），在P型衬底上用扩散法制作两个高掺杂浓度的N区。
然后在P型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层，并二氧化硅表面个两个N区表面各安置一个电极，形成栅极g、源级s和漏级d。
1.当栅源之间加正向电压Vgs，且Vgs>=Vt（Vt为开启电压）时，栅极和衬底之间形成足够强的电场，吸引衬底中的少数载流子（电子），使其聚集在栅极的衬底表面，形成N型反型层，该型层就构成了d、s间的导电沟道。
若此时漏级和源级之间夹电压，将会有漏级电流产生。对于初学者，这也能解释为什么N型MOS管高电压导通，低电压截止。
2.当Vgs<Vt，MOS管截止；
3.当Vds<=Vgs-Vt，工作在线性区；
4.当Vds>Vgs>-Vt，工作在饱和区。
有了上面的基础，就可以解释为什么N沟道增强型MOS管的存在饱和区？
也就是预夹断出现的原因。这个对于N沟道增强型MOS管而言，只要Vgs>=Vt，就会出现反型层，也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区，N沟道由此得名。
然后在Vds之间加了电压，这里你注意，D是连接电源正极，根据电子带负电的特性，既然D是正极，在电场力作用下，反型层中的电子就会被吸引到电源正极D，越靠近S，电场能量越小，吸引力越弱，这就导致了反型层在D端比较窄；
而在S端比较宽的情况，如果Vds继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。
MOS管与逻辑门电路
1.两个N型MOS管并联，形成“与”逻辑；两个N型MOS管串联，形成“或”逻辑。
2.CMOS管总是P管在上，N管在下，成对出现，并且有对偶关系，也就是如果上面是串联，则下面一定是并联；如果上面是并联，则下面一定是串联。
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