lvds电平
LVDS ：低电压差分信号（Low-Voltage Differential Signaling）是一种信号传输模式的电平标准，LVDS传输支持速率一般在155Mbps（大约为77MHz）以上。它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据（采用CMOS 工艺的低电压差分信号器件），实现点对点（或则点对多：M-LVDS）的连接，具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等优点。
LVDS 器件的传输机制是把 TTL 逻辑电平转换成低电压差分信号，以便于高速传输。与传统的 ECL逻辑相比，它采用 CMOS 工艺，其电压摆幅更低（LVDS只有 400mV，ECL 为 800mv），动态功耗更小（输出电流 3~5mA，只有 ECL 电路的 1/7），低 EMI，价格更低，因而在中等频率（几百M~几GHz）差分信号应用上具有较大的优势。
lvds电平标准
LVDS技术规范有两个标准，即TIA（电讯工业联盟）/EIA（电子工业联盟）的ANSI/TIA/EIA-644标准（LVDS也称为RS-644接口）与IEEE 1596.3标准。
标准参数的制定一方面取决于器件的制造工艺水平,另一方面取决于该标准面向的应用场景的性能要求。这意味着在不同的参数里,思考参数的取值的方法可能大相径庭。
LVDS电路结构
下图为典型的LVDS电路，采用一对差分信号线传输数据；通过驱动3.5mA的稳定电流源，以350mV低振幅（100Ω终端匹配）的差动信号来高速传送数据。其数据传输速度在规格内限定最大为655Mbit/秒，但这并不是极限值。通过各半导体厂商改进，可以实现3Gbit/秒左右的高速传输速度。
LVDS的输出端驱动是一个3.5mA的电流源，并由两组MOS管（4个）组成一对发送输出；
当A+导通，B-断开时：
1, 电流从右上角Q2（A+ MOS管）驱动出到蓝色传输线，即右上A+ MOS管电流方向是：电流源（Driver）右上A+ MOS管蓝色传输线100Ω终端电阻；
2, 左下角Q3（A+ MOS管）驱动接至GND，所以此时电流从绿色传输线通过左下角Q3流出到GND；左下A+ MOS管电流方向是：GND左下A+ MOS管绿色传输线100Ω终端电阻；
3, 整个电流通路最终电流在100Ω终端电阻侧导通，并形成输出电压：3.5mA *100Ω = 350mV。
因为传输线提供的100Ω阻抗是交流阻抗，对于直流来说是传输线是高阻抗，所以终端必须有100Ω端接电阻来提供信号固定电平状态下的回流，以保证输出电压；
需要再次强调的是：3.5mA电流从电源源流出到蓝色传输线，和绿色传输线3.5mA电流流入GND，这两者同时发生的，才能保证信号边沿的同步；驱动电流的路径并非是：电流源Q2蓝色传输线100Ω终端电阻绿色传输线Q3GND。
当B-导通，A+断开时：
1, 此时3.5mA驱动电流从左上角Q1（B- MOS管）流出，并流入绿色传输线；
2, 同时蓝色传输线电流流入右下角Q4（B- MOS管）；
具体电流传输的方向，如上。
3, 电流通路最终电流还是在100Ω终端电阻侧导通，但是电流方向与“A+导通，B-断开”相反，并形成反向的输出电压：-3.5mA *100Ω = -350mV。
最终在输出端形成 +350mV和-350mV信号摆幅的差分输出。
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