p沟道场效应管
P沟道场效应管由P型半导体材料构成的沟道、栅极以及源极和漏极组成。沟道是P型半导体，其中多数载流子为空穴。
导电通道类型： P沟道场效应管的导电通道是p型半导体构成的，在介质中需要接通阴极和阳极之间的电流，需要施加负电压到栅极上。
极性： P沟道场效应管的栅极对源极的介质结构呈正电压。
p沟道场效应管工作原理
p沟道场效应管是由沟道、栅极和源、漏极组成。在工作时，栅极和漏极间存在反向电压，形成了横向电场，使沟道中的载流子移动方式发生变化，进而控制漏极与源极之间的电流大小。当栅极施加正电压时，沟道中的空穴浓度减小，形成一个减小的导电截面，电流减小，器件为“关态”；当栅极施加负电压时，沟道中的空穴浓度增加，形成扩散区域，电流增加，器件为“开态”。
电流控制：
栅极电压控制沟道中的空穴浓度，进而控制源极和漏极之间的电流。
栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制沟道截面积，从而控制电流。
由于P沟道MOSFET在关态时漏电流较小，它常被用作低功耗电路中的开关或放大器。在需要高输入阻抗的应用中，P沟道MOSFET也表现出色。
p沟道场效应管导通条件
在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
P沟道：Ug<Us时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。
p沟道场效应管导通条件受到栅极电压和漏极源极电压的影响。当栅极与源极之间的电压为负时，p沟道场效应管处于导通状态，当栅极与源极间电压为正时，p沟道场效应管处于截止状态。
在导通状态下，漏极电流可以由下式计算：
ID = (μnCox/2)(W/L)[(VGS - VT)VDS - VDS2/2]
其中，μn是沟道中空穴迁移率，Cox是氧化层电容，W/L是输运通道的宽和长，VGS是栅极与源极的电压差，VT是漏极门限电压，VDS是漏极与源极之间的电压。
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