对于MOS管这样一个三端口器件，先不看源极，就看栅极和漏极。
可以这样直观的理解栅极电压Vg是决定MOS管的是否开启以及MOS管在饱和区时的电流可以达到多大，而漏极电压Vd则决定MOS管是在线性电阻区还是在饱和区。
当Vg和Vd初始都为0时，MOS管可以看成是两个相反的PN二极管。然后Vd保持0，加大Vg，MOS管形成反型层，沟道出现联通源端和漏端。
这时候的沟道可以看成一个恒定的低阻电阻，Vg越大，感应的电荷越多，反型层越宽，沟道电阻越小，这时候的MOS管就进入了线性电阻区的工作状态。
下面开始增大漏端电压Vd，这时候沟道各处的电压差不均等了。
Vd增加到栅端和漏端电压之间只相差一个阈值电压时，沟道就处于夹断状态。
当沟道夹断的时候，夹断的地方就类似于PN结的耗尽层，是个高阻。
但是这个夹断并不是真的夹断的意思，并不意味着没有通道了使电流传过去了，还是会留有一条羊肠小道的，但是这个羊肠小道明显就没有之前的大路好走，电阻很大。
这时候沟道就相当于在原有的一个电阻后面又加了个大电阻来分压。
漏端电压Vd继续增大，其电压大多落在耗尽层的大电阻上，落在沟道电阻上的电压基本不变，而因为夹断的长度相比沟道长度是很小的，所以正常沟道的形状和电阻在微小的夹断变化时可以看成近似不变的，所以沟道电阻也不变，这个时候沟道的电流也是近似恒定的，这时候的MOS管就进入了饱和区的工作状态。沟道恒定的电流就通过一条羊肠小道源源不断的流通了。
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