MOS管是电压驱动，按理说只需栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如请求开关频率较高时，栅对地或VCC能够看做是一个电容，关于一个电容来说，串的电阻越大，栅极到达导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，普通要加前置驱动电路的。下面我们先来理解一下MOS管开关的根底学问。
1、MOS管品种和构造
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，能够被制形成加强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4品种型，但实践应用的只要加强型的N沟道MOS管和加强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不提倡寻根究底。
关于这两种加强型MOS管，比拟常用的是NMOS.缘由是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，普通都用NMOS下面的引见中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需求的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时分要费事一些，但没有方法防止，后边再细致引见。
在MOS管原理图上能够看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，合适用于源极接地时的状况(低端驱动)，只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，合适用于源极接VCC时的状况(高端驱动)。但是，固然PMOS能够很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交换品种少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。
3、MOS开关管损失
不论是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这局部耗费的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。如今的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通霎时电压和电流的乘积很大，形成的损失也就很大。缩短开关时间，能够减小每次导通时的损失;降低开关频率，能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就能够了。这个很容易做到，但是，我们还需求速度。
在MOS管的构造中能够看到，在GS,GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电霎时能够把电容看成短路，所以瞬时电流会比拟大。选择/设计MOS管驱动时第一要留意的是可提供霎时短路电流的大小。
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