由于逻辑阈值电压是式(10.1)中的-IDS与式(10.2)中的IDS相等时的电压，所以应用这个关系能够求得Vin：
假如KN=Kp，即KN/KP=1，经过选择恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的参数，可以完成｜VTP｜＝｜VTN｜，那么作为反相器，当然就能够得到如下理想的关系：
实践上，这样的理想状态是不存在的。在版图设计中，经过设计恰当的p沟MOS晶体管与n沟MOS晶体管的W/L比，尽可能使VTP与VTN相等，能够得到接近1/2VDD的逻辑阈值电压。
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