PMOS管电路图
PMOS管开与关控制，实际是控制Vgs电压，以达到控制电源开关；
电路图（模拟测试）如下：
Key闭合前：PMOS输出电压 16.441MV
Key闭合后：PMOS输出电压 5V
实际电路：Key开关是用MCU的GPIO代替来控制，MCU高电平时3.3V，GPIO输出控制信号时需使用三极管。
PMOS高侧电源开关
NMOS做高侧开关的性能比较好，但因为要增加额外的栅极驱动IC，会使电路变得复杂，成本也会随之提升。除开电机控制和电源转换的场合，一般对开通速度、导通内阻、过电流能力 无细致需求的话，PMOS无疑是做开关的较好选择。
近年来随着MOS工艺的升级，PMOS的参数还是较NMOS差，但导通内阻<10m欧的PMOS型号越来越多了。PMOS做高侧开关的最大优势，是不用电荷泵驱动，简单方便，还降低成本。
下图是PMOS做高侧开关的电路，CONTROL为控制信号，电平范围为0~VCC。
CONTROL为0V时，Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。
CONTROL为VCC时，Vgs>导通阀值，PMOS关断，负载停机。
注意上图这里的输入信号 CONTROL，其低电平要保证Vgs能使PMOS开通;又要限制Vgs不能小于手册上的最小允许电压，以避免PMOS损坏。
但MCU或其他控制器的电平一般为固定的3.3V / 5V，而电路的VCC却要在一个很大的范围内变动。这就导致如果使用I/O口直接驱动的话，PMOS不能关断，并且当VCC较大时，还会损坏MCU的I/O口。
所以PMOS做高侧开关时，一般搭配一个小电流的NMOS或者NPN管，来做驱动电平转换。
如下图，NMOS - Q3负责做电平转换，来驱动Q2 - PMOS的开关。
当 CONTROL 为0时，Q3关断，Q2的G极电平被拉高为VCC，Q2 - PMOS关断，负载停机。
当CONTROL 为1，Q3开通，Q2的G极电平被拉低为0，Q2 Vgs<导通阀值，PMOS开通，负载工作。
如果VCC电压很高，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，也会造成PMOS的损坏。
为了避免损坏PMOS的栅极，在上面的电路中，添加一个稳压管和电阻，来达到钳位的作用，使Vgs最小不低于-12V，以保护Q2的栅极。
注意：VCC电压较高时，需要重新计算各电阻的热功耗，来确定合适的封装，或者更改阻值。
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