MOS管的使用通常可以分为两种情形：
①参与普通的逻辑控制，和三极管一样作为开关管使用，电流可达数安培，如图1为MOS管驱动直流电机电路。R6下拉电阻是必须的（取值一般10--20k），原理和NPN三极管下拉电阻一样。
此类应用的MOS管Vgs电压大于门槛电压4.5V（又叫平台电压）即可正常使用。小功率的逻辑控制可以选择使用三极管。
图1：逻辑控制MOS管
②参与PWM控制；桥式驱动电路以及开关电源电路等应用广泛。
如图2为有刷直流电机桥式驱动电路，G1、G2、G3、G4为推挽PWM控制，VS1、VS2接电机，可实现大功率直流电机调速，正反转控制。此类应用的MOS管Vgs电压大于10V，通常使用12V（为保证导通深度，PWM的幅值为12V）。
且G极的电阻必须是小电阻通常取4.7--100Ω，与电阻并联一个反向二极管，目的是保证MOS管的关断速度比导通速度快，防止上桥与下桥直通短路。
图2：有刷直流电机桥式驱动电路
MOS管驱动直流电机电路
以驱动继电器为例分享电路设计，驱动电路如下图。
D1作用是泄放继电器的反向电动势
继电器参数
24V继电器 电大负载25A/250VAC，线圈电阻640欧。
流过线圈的电流为37.5mA。
继电器的线圈为感性负载，在通电和断电的瞬间，会产生反向电动势，通电时这个电动势与电源方向相同，上正下负，电源可以吸收绝大部分。
断电时这个电动势与电源方向相反，下正上负，此时二极管D1导通，将这个电动势短路泄放掉。对于低压电路，二极管用1N4007就可以了，耐压1000V，电流1A，便宜好用。讲究的可以用快恢复二极管，性能更好些。漏电流略大，此处可以忽略。
MOS管选型
这个MOS管的选型很简单，关键参数只涉及电压和电流即可，其他可不作考虑。
耐压：1.2~1.5倍电源电压或更高
电流：5倍工作电流妥妥的够，即150mA以上足矣。
功耗：一般管子的Rds只有几十毫欧，功耗肯定满足需求。
开关频率：继电器的动作频率不超过100HZ，大多管子都够。
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