电路分析中不可缺少的MOS管的三个二级效应。
体效应
在我们之前的分析中，我们都认为MOS管的衬底和源极相连, 即VBS=0。 但在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。
对 NMOS 管而言，衬底通常接电路的最低电位(GND)，有VBS < 0 ;
对 PMOS 管而言，衬底通常接电路的最高电位(VDD)，有VBS > 0 。
这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化，这一效应称为“体效应”，又称为“背栅效应”。
从对 MOS 管工作原理的分析中我们知道，随着VGS的上升，衬底内部的电子向衬底表面运动，并在衬底表面产生了耗尽层。 当VGS上升到一定的电压——阈值电压时，栅极下的衬底表面发生反型，NMOS管在源漏之间开始导电。 阈值电压的大小和耗尽层的电荷量有关，耗尽层的电荷量越多，NMOS 管的开启就越困难，阈值电压就越高。 当VBS > 0时，栅极和衬底之间的电位差加大，耗尽层的厚度也变大，耗尽层内的电荷量增加，所以造成阈值电压变大。 在考虑体效应后，阈值电压Vth为：
其中Vth0为VBS=0时的阈值电压，r是体效应系数，VSB是源衬电势差。
体效应通常是我们不希望有的。 因为阈值电压的变化经常会使模拟电路的设计复杂化。
沟道长度调制效应
在对MOS管工作原理的分析中，我们知道，当栅和漏之间的电压差增大时，实际的反型沟道逐渐减小。 也就是说在式中，L'实际上是VDS的函数。 这一效应称为“沟道长度调制”在饱和区，我们可以得到：
如图所示，这种现象使得ID /VDS特性曲线在饱和区出现非零斜率，因而使得源和漏之间的电流源非理想。
需要注意的时，只当器件工作在饱和区时，需要考虑沟道长度调制效应。 在三极管区，不存在沟道长度调制效应。
亚阈值导电性
在分析MOSFET时，我们一直假设：当VGS下降到低于VTH时器件会突然关断。 实际上，当VGS约等于VTH时，一个“弱”的反型层仍然存在。 甚至当VGS
式中，I0正比于W/L，VT=kT/q。 我们称器件工作在弱反型区，当VGS >VTH时，器件工作在强反型区。 亚阈值导电会导致大的功率损耗，造成不必要的功率消耗。
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