PMOS晶体管，也称为P沟道金属氧化物半导体，是一种晶体管形式，其中沟道或栅极区域使用p型掺杂剂。这个晶体管与NMOS晶体管完全相反。这些晶体管包含三个主要端子：源极、栅极和漏极。晶体管的源极端子由p型基板构成，而漏极端子由n型基板构成。该晶体管中的电流由电荷载流子（例如空穴）传导。下面显示了PMOS晶体管的符号。
PMOS晶体管工作原理
p型晶体管的工作方式与n型晶体管非常不同。当该晶体管接收到非零电压时，它将产生开路，从而阻止电流从栅极（G）端子流向源极（S）。与此类似，当该晶体管接收到约0伏的电压时，它形成一个闭合电路，这意味着电流从栅极（G）端子流向漏极（D）。
反转气泡是这个气泡的另一个名称。因此，这个圆圈的主要目的是反转输入电压的值。该逆变器将栅极端子处的电压1转换为零，并根据需要操作电路。因此，PMOS和NMOS晶体管用于完全不同的目的。如果我们将它们组合成一个MOS电路，它将转换为CMOS（互补金属氧化物半导体）电路。
pmos晶体管的各个工作区域
PMOS晶体管的工作区域包括源极区域、漏极区域、极门区域和极源区域。源极区域是晶体管的输入端，漏极区域是晶体管的输出端，极门区域是晶体管的控制端，极源区域是晶体管的电源端。
如何对NMOS和PMOS的工作区域进行判断呢？
方法一：分别进行讨论，注意PMOS中的值都是负数∶
方法二：利用绝对值判断
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