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MOS管的电路符号图文详情
2020-01-03
MOS管的电路符号图文详情MOS管的电路符号MOS管（场效应管）的电路符号会有多种变化，电路中最常见的设计是以一条直线代表通道，两条和通道
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热插拔电路中MOSFET的要求-击穿电压安全区域
2020-01-03
热插拔电路中MOSFET的要求-击穿电压安全操作区域MOSFET即金氧半场效晶体管，是一种最常见的MOS管，也是构成数字集成电路的基本单元，在开关
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MOSFET场效应管导通电阻Rds(ON)及VGS-结温耐压的关系
2020-01-03
MOSFET场效应管导通电阻Rds(ON)及VGS-结温耐压的关系导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车
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新能源应用中要选择MOSFET还是IGBT
2020-01-03
新能源应用中要选择MOSFET还是IGBTMOSFET和IGBT是目前应用最广泛的两种功率半导体器件。随着智能网联汽车、新能源行业的快速发展，大功率MO
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MOS管的驱动过程与栅极驱动功率
2020-01-03
MOS管的驱动过程与栅极驱动功率在晶体管家族里，MOS管是栅极电压驱动器件，工作中并无直流电流流入栅极，这与基极电流驱动的常规双极晶体管
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晶体管输入-输出特性与电流传输特性的分析
2020-01-02
晶体管输入-输出特性与电流传输特性的分析晶体管特性是其表示之间的关系的曲线的电流和电压一的晶体管在特定配置。通过将晶体管配置电路视
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超级结MOSFET及4引脚TO-247-4L封装的组合
2020-01-02
超级结MOSFET及4引脚TO-247-4L封装的组合在MOSFET的发展中，超级结技术（Superjunction technique）是专为配备600V以上击穿电压的高压功率
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TO-247-4L封装为什么和超级结MOS管是绝配
2020-01-02
TO-247-4L封装为什么和超级结MOS管是绝配最新数据显示，新型TO-247-4L封装能够解决超级结MOS管中的源级连接电感对开关速度的不利影响。根据
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怎么为MOS管选择最适合的驱动电路
2020-01-02
怎么为MOS管选择最适合的驱动电路在开关电源等电力系统设计中，设计人员关心最多的是MOS管的几个参数，如导通电阻、最大电压、最大电流。这
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金氧场效应晶体管-OSFET P沟道N沟道MOSFET的工作原理
2020-01-02
金氧场效应晶体管-OSFET P沟道N沟道MOSFET的工作原理mosfet是电容器操作的晶体管器件。电容器对于操作MOSFET起着至关重要的作用。我们还称
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MOSFET电路类型集合与特性分析
2020-01-02
MOSFET电路类型集合与特性分析已成为最常用的三端子器件的MOSFET带来了电子电路领域的革命。如果没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可
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CMOS晶体管的制造工艺流程
2020-01-02
CMOS晶体管的制造工艺流程在IC上制造的最复杂的元件是晶体管。晶体管具有各种类型，例如CMOS，BJT，FET。我们根据要求选择在IC上实施的晶体