右侧的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步升压（Boost）电路。
在该电路中，高边（以下称“HS”）SiC MOSFET与低边（以下称“LS”）SiC MOSFET的开关同步进行开关。当LS导通时，HS关断，而当LS关断时，HS导通，这样交替导通和关断。
由于这种开关工作，受开关侧LS电压和电流变化的影响，不仅在开关侧的LS产生浪涌，还会在同步侧的HS产生浪涌。
下面的波形图表示该电路中LS导通时和关断时的漏极－源极电压（VDS）和漏极电流（ID）的波形，以及栅极－源极电压（VGS）的动作。
横轴表示时间，时间范围Tk（k=1～8）的定义如下：
T1： LS导通、SiC MOSFET电流变化期间
T2： LS导通、SiC MOSFET电压变化期间
T3： LS导通期间
T4： LS关断、SiC MOSFET电压变化期间
T5： LS关断、SiC MOSFET电流变化期间
T4～T6： HS导通之前的死区时间
T7： HS导通期间（同步整流期间）
T8： HS关断、LS导通之前的死区时间
在栅极－源极电压VGS中，发生箭头所指的事件（I）～（IV）。每条虚线是没有浪涌的原始波形。
这些事件是由以下因素引起的：
事件（I）、（VI） → 漏极电流的变化（dID/dt）
事件（II）、（IV） →漏极－源极电压的变化（dVDS/dt）
事件（III）、（V） →漏极－源极电压的变化结束
在这里探讨的“栅极-源极电压产生的浪涌”就是指在这些事件中尤其影响工作的LS导通时HS发生的事件（II）以及 LS关断时HS发生的事件（IV）。
关键要点：
近年来，SiC MOSFET被越来越多地用于电源和电力线路中的开关应用，SiC MOSFET工作速度非常快，快到已经无法忽略由于SiC MOSFET其自身封装电感和外围电路布线电感带来的影响。
因此，特别是SiC MOSFET，可能会在栅极-源极间电压中产生意外的浪涌，需要对此采取对策。
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