在稳态条件下，并联mosfet工作良好，共享电流，在每个相同的电压。MOSFET的on电阻(Roslon)具有正的温度系数，即Rps(on)随着温度的升高而增大。这种已知的现象有助于并联mosfet，因为它有助于平衡多个mosfet之间的电流。电流通过电阻最小的路径，当电流在一个MOSFET中增加时，功率损耗也会增加，加热器件并增加Ros(on)。此时，电流将流向另一个电阻较低的mosfet，从而导致mosfet之间的固有电流共享。
在转换条件下，情况就完全不同了。一般来说，MOSFET表现得像一个电压控制开关。在开关的动态过程中，许多因素会引起电流和电压的不平衡，特别是在高频时。MOSFET的特性，包括栅阈值电压、正向跨导、总栅电荷(Q)、Ros(on)、实际驱动电路和PCB中的寄生电感，都是造成电流和电压失衡的因素。MOSFET的参数在器件生产时是固定的，在实际应用中是不能改变的，筛选MOSFET以获得精确匹配的参数在经济上具有挑战性。防止这些问题的最好方法是使用适当的栅驱动器设计技术，以确保并联mosfet之间的电流和电压是适当平衡的。
1、由MOSFET参数引起的电流不平衡
了解MOSFET参数以及它们如何影响并联MOSFET应用中的电流和电压平衡是确定可能出现的问题的正确解决方案的重要的第一步。
阈值电压，门到sourec (VsstTH):并联mosfet通常由相同的门驱动器或门驱动器信号驱动。门到源阈值电压(Vas(TH)较低的MOSFET会比VsTH稍高的第二MOSFET打开得更快，这导致VGs(TH)较低的MOSFET流过的电流更大，电流不平衡。
正向跨导(grs:在MOSFET关闭的截止区和MOSFET完全打开的欧姆区之间的饱和区，漏电流由栅极到源极电压(Vas)控制。该区域由器件的正向跨导(gFs)特性控制，不同的门到源电压会在开关转换过程中造成电流不平衡，反之亦然。
栅极电荷(Q总栅极电荷，打开MOSFET并使电流从漏极流向源所需的栅极总电荷)将显著影响MOSFET的开关速度。当多个mosfet并行时，如果其中一个mosfet的Q值较低，那么它将比其他mosfet更快地启动。这种更快的打开导致MOSFET在过渡期间处理大部分电流，导致另一种不平衡电流条件
2、闸极驱动电阻对电流不平衡的影响
在图1所示的栅极驱动电路中，故意产生了不匹配，并进行了测试，以显示不匹配的栅极电阻的影响。如第3节所示，在高频应用中推荐使用栅极电阻，以避免额外的并发症，确保这些栅极电阻尽可能匹配是至关重要的。在图1所示的栅极驱动电路中，Q1和Q2是并联的。R1是与Q1门串联的驱动电阻。R3与R1和Q2的门相连。这将导致门驱动程序不匹配
图2a和图2b显示了由于栅极驱动电阻失配而导致的开关过程中栅极到源极的电压。通道1显示Q1的开断时间更快，这是门电阻略低的结果。与流过Q2的电流相比，这些更快的开关时间会导致流过Q1的电流更大。Q1源和漏极的寄生电感电流越高，产生的电压峰值和振铃越大。图2a和图2b中Q1和Q2之间的差异表明，Q1在过渡过程中处理更大的峰值电流，这是由于栅驱动电阻不匹配造成的。在过渡过程中平衡通过每个MOSFET的电流是很重要的，以避免在并行应用程序中对其中一个MOSFET施加过大的应力，使用匹配的门电阻是实现所需性能的关键。
3、栅极驱动电路布局对电压不平衡的影响
在高功率、高频应用中，PCB的寄生电感会对整个系统产生负面影响。如果漏极中的杂散电感控制不好，可能会导致MOSFET失效。
图3显示了两个并联的mosfet中的寄生电感，故意偏置以模拟较差的布局。
在该电路中，Q1的漏电感为40nH (L1)， Q2的电感为20nH (L2)。AOT470是一个75V的MOSFET，是为这个模拟选择的。
在关断过程中，由寄生电感和变化电流(V =L* di/dt)决定的最大漏极电压加上一个电压。如果匹配电路具有相同的di/dt特性，并且对每个MOSFET的寄生电感进行优化，那么每个器件所看到的最大漏电压将近似相同
当管中寄生电感不同时，V = L* di/dt项引起的两个过电压是不相等的。这种差异反过来影响pi/dt的大小，并最终导致Q1的漏极电压更高。此外，由于Q1的漏电感较大，当L1环中Coss为AOT470且电路中存在寄生电阻时，Q1的振铃幅度也较大(如图4所示)。在关断过程中，振铃和漏极上的电压尖峰的组合很容易使MOSFET超过其最大的额定漏源电压并导致故障。通过仔细设计如图2.2所示的栅极驱动电路，在PCB布线时尽量减小寄生电路电感，电路设计人员可以避免这些不匹配。
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