P沟道MOS管开关电路
上图是两种P沟道MOS管开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为P沟道MOS管开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
P沟道MOS管开关电路工作原理
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。
改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
什么是P沟道MOS管
PMOS是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。
它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代。
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